M28X PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
I.MX28系列是飛思卡爾Arm9?系列處理器的新成員,集成了顯示、電源管理、CAN、USB和以太網(wǎng)等連接功能,可為各種成本敏感型的應(yīng)用降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。針對(duì)其在PCB設(shè)計(jì)方面,我們總結(jié)了一些方法和經(jīng)驗(yàn),歡迎大家借鑒和指導(dǎo)。
推薦的疊層(適用于6層板):
1) L1(TOP,信號(hào))- L2(地平面)-L3(電源平面、少量信號(hào))-L4(信號(hào))-L5(地平面)-L6(BOTTOM,信號(hào))
L3,L4在RAM部分可走信號(hào),BOOTOM走1.8V電源;CPU部分L3可敷電源。優(yōu)點(diǎn)是有兩個(gè)地平面,有較好的EMC性能和信號(hào)完整性。但L3只能走少量信號(hào),需要配合底層扇出,可能需要增加更多的過(guò)孔進(jìn)行換層。
2) L1(TOP,信號(hào))- L2(地平面)-L3(信號(hào))-L4(信號(hào))-L5(電源平面)-L6(BOTTOM,信號(hào))
此疊層適合信號(hào)比較交叉的情況,保證L3,L4皆可出線。L5電源平面進(jìn)行了分割,相對(duì)上述疊屋在一定程度上電源完整性會(huì)更好一點(diǎn)。順便提一下的是要留意L4,L6的重要信號(hào)不要跨電源平面走線。
推薦的走線、疊層
單端:5mil
差分:4/6mil(線寬4mil,間距6mil)
疊層設(shè)計(jì)可參照下圖所示,對(duì)于L1,L3,L4,L6的阻抗有較好的控制。
過(guò)孔:可使用8/16mil或者10/16mil。該過(guò)孔大小剛好符合CPU內(nèi)5mil走線的扇出。
4層走線可參考官方指導(dǎo)手冊(cè)的扇出方法。注意使用4層板的話,需要走線的空間相對(duì)較大,而且底層信號(hào)走線較多,會(huì)影響濾波電容等的放置,會(huì)大大削弱信號(hào)完整性和EMC性能。對(duì)于要求較高的場(chǎng)合例如工業(yè)環(huán)境下,盡量還是使用6層及以上的設(shè)計(jì)。
DCDC_GND PIN(A17)至少有兩個(gè)過(guò)孔到地平面,可減少開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲。
DC-DC電感盡可能放置與CPU同一面,且盡可能靠近CPU,這樣可避免走線過(guò)長(zhǎng)和使用過(guò)孔。如果電感一定要放反面,則必須通過(guò)多過(guò)孔進(jìn)行連接。
DCDC_BATT PIN (B15)的輸入電容盡量靠近PIN腳放置,保持走線不長(zhǎng)于5mm。
以下布局和走線供參考(由于結(jié)構(gòu)的限制,DCDC_BATT的電容放置得較遠(yuǎn)):
濾波電容必須靠近電源腳放置,包括DCDC_VdivIO, DCDC_VdivA, DCDC_VdivD。
LRADC和HSADC的各個(gè)信號(hào)都需要接0.01uF的電容,該電容須靠近CPU放置,并遠(yuǎn)離DCDC和其他數(shù)字電路(或者用地線隔開(kāi))。HSADC包地。
濾波電容放置的例子(包括CPU電源的電容):
晶振電路比較敏感,靠近CPU放置,走線盡可能短,并用地線保護(hù)起來(lái)。
地址/控制信號(hào):長(zhǎng)度差控制在200mil;
時(shí)針CLK:差分長(zhǎng)度差控制在5mil;
數(shù)據(jù)DQ/數(shù)據(jù)掩碼DQM:長(zhǎng)度差控制在100mil;
數(shù)據(jù)選取DQS:差分對(duì)長(zhǎng)度差控制在5mil;長(zhǎng)度與DQ匹配。
以上信號(hào)單端阻抗為50-60歐姆,差分阻抗為100歐姆。地址和數(shù)據(jù)線之間不要交叉走線。可能的話同組的信號(hào)盡量使用相同的層。
VREF盡可能用比較寬的線。
有條件的話RAM各信號(hào)長(zhǎng)度匹配越精確越好,以下例子是嚴(yán)格等長(zhǎng)的(因?yàn)镃LK差分上有串聯(lián)的匹配電阻,實(shí)長(zhǎng)會(huì)比表格顯示的數(shù)值大),供參考。
參考例子(分別為CPU與RAM之間的L3,L4走線,BOTTOM層已隱藏):
RAM的1.8V電源PIN,濾波電容要靠近放置,保持每個(gè)電源PIN和GND至少有一個(gè)過(guò)孔。
如下圖:
差分信號(hào)等長(zhǎng)走線,長(zhǎng)度差控制在5mil;阻抗約90歐姆。走線與其他信號(hào)要隔開(kāi)一定的距離,約20mil以上。也可包地處理。注意其信號(hào)不要跨越不同的地/電源平面,可保證其信號(hào)質(zhì)量,以避免其他EMI問(wèn)題。
TX/RX差分長(zhǎng)度差控制在5mil;差分阻抗為100歐姆。且其與板邊距離須1in以上,提高其輻射抗擾度。
TX與RX之間保持一定的距離,至少30mil以上。
49.9歐的上拉電阻盡量靠近接口放置,連線盡量短,不要超過(guò)400mil。
以太網(wǎng)變壓器兩端要進(jìn)行隔離處理,包括信號(hào)和地(適用需要外接變壓器的情況)。
1.CPU直接引出且靠近板邊、外殼、按鈕、接口等的信號(hào),比較敏感,特別是做ESD測(cè)試時(shí)很容易引入干擾,所以要做保護(hù)處理。比較好的情況下是增加防護(hù)器件,兼顧成本的情況下至少也要作包地處理,靠近CPU附近位置要添加一小電容或者RC濾波。
2.電源平面進(jìn)行分割的時(shí)候,不要讓鄰近層的重要信號(hào),特別是有阻抗要求的信號(hào)跨越不同的平面。否則會(huì)影響其信號(hào)的完整性。
3.M28X芯片自帶的DC-DC電路,其引腳的分布剛好與模擬、復(fù)位、晶振、USB等重要信號(hào)相鄰,在布局上可能會(huì)造成一定的困難。建議DC-DC、晶振電路的元件與CPU放置同一層,走線可直連,且減少了大量的過(guò)孔,可空出很多空間放置小電容與及其他信號(hào)的扇出。另外走線的時(shí)候建議每一層都用地線將以上信號(hào)分別包起來(lái),避免互相影響。
4.1.8V、3.3V電源由M28X內(nèi)部直接產(chǎn)生,所以盡量采用敷銅的形式,且CPU背面盡可能每個(gè)引腳都添加至少一個(gè)濾波電容,保證其電源的完整性并往外部供電。留意并避免CPU內(nèi)部大量的過(guò)孔可能會(huì)切斷其電源平面的完整。
我們用上述方法,完成M283的核心板設(shè)計(jì)。核心板采用四周是郵票孔方式和外界連接,也可以使用1.27的排針相連。然后配置一個(gè)底板,就組成了一個(gè)可用的學(xué)習(xí)板或工控板了。
經(jīng)過(guò)我們測(cè)試,整個(gè)板所有接觸靜電放電8KV, 耦合放電15KV ,可見(jiàn)整個(gè)板的抗干擾能力是非常強(qiáng)的,作為工業(yè)控制用也是滿足要求的。
帶液晶屏的工控學(xué)習(xí)板模樣,在淘寶上有賣(mài),才258元,真是免費(fèi)的Arm9?學(xué)習(xí)平臺(tái)。